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形成（b）不同磁场强度下（0-7T）厚度为5纳米的氮化铌薄膜的电阻率-温度特性曲线。电力顶层电图3 超导转变温度以及转变宽度与薄膜厚度的关系。
结果介绍在本文中，市场设计美国应用材料公司MingweiZhu团队和布法罗大学QuanxiJia教授团队展开合作，市场设计利用磁控反应溅射技术，成功在较低的温度下（400摄氏度）制备出了高质量超薄（5-50纳米）外延生长的氮化铌超导薄膜。总结该工作实现了比较低温条件下晶片规模尺寸的氮化铌薄膜的外延生长，交易机制并深入探讨了氮化铌超导薄膜的超导特性与薄膜厚度的密切关系。
